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NSBA144EDXV6数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置规格书PDF

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厂商型号

NSBA144EDXV6

参数属性

NSBA144EDXV6 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563

功能描述

Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 11:38:00

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NSBA144EDXV6规格书详情

描述 Description

This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

特性 Features

• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

简介

NSBA144EDXV6属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置。由制造生产的NSBA144EDXV6晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置预偏置的双极晶体管阵列包含两个或更多双极晶体管,同时电阻以可能有用的方式连接到每个晶体管;通常在每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻,同时有另一个电阻连接到每个晶体管的基极端子和器件封装上的用户可访问引脚。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NSBA144EDXV6

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :Dual PNP

  • IC Continuous (A)

    :0.1

  • V(BR)CEO Min (V)

    :50

  • hFE Min

    :80

  • R1 (kΩ)

    :47

  • R2 (kΩ)

    :47

  • R1/R2 Typ

    :1

  • Vi(off) Max (V)

    :0.8

  • Vi(on) Min (V)

    :3

  • Package Type

    :SOT-563

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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