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NSBA123JF3T5G	文件：117.91 Kbytes Page：6 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBA123JF3T5G	文件：183.34 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBA123JF3T5G	文件：111.42 Kbytes Page：12 Pages	PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBA123JF3T5G	文件：131.88 Kbytes Page：10 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 47 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBA123JF3T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-1123；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBC123JF3T5G	文件：110.66 Kbytes Page：12 Pages	NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSBC123JF3T5G	文件：130.61 Kbytes Page：10 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=2.2k,R2=47k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NSBA123JF3T5G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-1123
供应商器件封装：
SOT-1123
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

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