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NSBA123JDP6T5G

Dual Digital Transistors (BRT)

Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a

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ONSEMI

安森美半导体

NSBA123JDP6T5G

Dual PNP Bias Resistor Transistors

文件:90.22 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSBA123JDP6T5G

Dual PNP Bias Resistor Transistors

文件:91.59 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSBC123JDP6T5G

Dual NPN Bias Resistor Transistors

文件:124.85 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NSBA123JDP6T5G

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL PBRT

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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更多NSBA123JDP6T5G供应商 更新时间2025-10-4 8:11:00