NSB8MTHE3_B/I_分立半导体产品 二极管-整流器-单-Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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1600+
  • 厂家型号:

    NSB8MTHE3_B/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 库存数量:

    0

  • 类别:

    分立半导体产品 二极管-整流器-单

  • 封装外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 更新时间:

    2024-6-17 15:00:00

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原厂料号:NSB8MTHE3_B/I品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

资料说明:DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

NSB8MTHE3_B/I是分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单。制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division生产封装TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB的NSB8MTHE3_B/I二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

  • 芯片型号:

    nsb8mthe3_b/i

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 资料说明:

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    NSB8MTHE3_B/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    55pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay General Semiconductor -
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