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NSB8MT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

NSB8MT
厂商型号

NSB8MT

参数属性

NSB8MT 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

功能描述

GLASS PASSIVATED GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

84.21 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 GE Industrial Company
企业简称

GE

中文名称

GE Industrial Company官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-14 20:00:00

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NSB8MT规格书详情

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 8.0 Amperes

FEATURES

♦ Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

♦ High forward current capability

♦ High surge current capability

♦ Low forward voltage drop

♦ Glass passivated chip junction

♦ High temperature soldering in accordance with CECC 802 / Reflow guaranteed

产品属性

  • 产品编号:

    NSB8MT-E3/81

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    55pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

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