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NSB8DT-E3/81

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

UGB8DT-E3/81

Ultrafast Rectifier

FEATURES • Power pack • Glass passivated pellet chip junction • Ultrafast recovery time • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 275 °C max., 10 s per JESD 22-B10

文件:143.26 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

NSBC114EDXV6T1G

ON/安森美
SOT-563

ON/安森美

NSCSSNN005PDUNV

Honeywell
SIP-4

Honeywell

霍尼韦尔

上传:中天科工半导体(深圳)有限公司

NSCSSNN030PAUNV

Honeywell
SIP-4

Honeywell

霍尼韦尔

上传:中天科工半导体(深圳)有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    NSB8DT-E3/81

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    55pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NSB8DT-E3/81供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00