NS8JT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NS8JT |
参数属性 | NS8JT 封装/外壳为TO-220-2;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC |
功能描述 | Glass Passivated General Purpose |
封装外壳 | TO-220-2 |
文件大小 |
52.38 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | EIC discrete Semiconductors |
企业简称 |
EIC |
中文名称 | EIC discrete Semiconductors官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-28 17:52:00 |
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NS8JT规格书详情
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 8.0 Ampere
FEATURES :
* High current capability
* High surge current capability
* High reliability
* Low reverse current
* Low forward voltage drop
* Glass passivated chip junction
* Pb / RoHS Free
产品属性
- 产品编号:
NS8JTHE3/45
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
管件
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
8A
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-2
- 供应商器件封装:
TO-220AC
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NS8JT |
61287 |
61287 |
询价 | ||||
VISHAY |
2016+ |
TO220 |
6523 |
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询价 | ||
GENERAL SEMICONDUCTOR (VISHAY) |
23+ |
原厂原封 |
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VISHAY |
18+ |
TO-220 |
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VISHAY |
2023+ |
TO-220AC |
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GI |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 |