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NS8JT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

NS8JT
厂商型号

NS8JT

参数属性

NS8JT 封装/外壳为TO-220-2;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

功能描述

Glass Passivated General Purpose

封装外壳

TO-220-2

文件大小

52.38 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 EIC discrete Semiconductors
企业简称

EIC

中文名称

EIC discrete Semiconductors官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 17:52:00

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NS8JT规格书详情

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 8.0 Ampere

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Glass passivated chip junction

* Pb / RoHS Free

产品属性

  • 产品编号:

    NS8JTHE3/45

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2

  • 供应商器件封装:

    TO-220AC

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NS8JT
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