NS8JT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NS8JT |
| 参数属性 | NS8JT 封装/外壳为TO-220-2；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC |
| 功能描述 | Glass Passivated General Purpose |
| 封装外壳 | TO-220-2 |
| 文件大小 |
52.38 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | EIC discrete Semiconductors |
| 企业简称 |
EIC |
| 中文名称 | EIC discrete Semiconductors官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-29 18:34:00 |
| 人工找货 | NS8JT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NS8JT规格书详情
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 8.0 Ampere
FEATURES :
* High current capability
* High surge current capability
* High reliability
* Low reverse current
* Low forward voltage drop
* Glass passivated chip junction
* Pb / RoHS Free
产品属性
- 产品编号：
NS8JTHE3/45
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
管件
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
8A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-2
- 供应商器件封装：
TO-220AC
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HARRIS/哈里斯 |
09+ |
TO-220AC |
12999 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
GENERAL SEMICONDUCTOR (VISHAY) |
23+ |
原厂原封 |
3000 |
订货1周 原装正品 |
询价 | ||
GI |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
VISHAY |
2016+ |
TO220 |
6523 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
询价 | ||
GE |
23+ |
NA |
39960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
GI |
TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
NS8JT |
61287 |
61287 |
询价 | ||||
24+ |
3000 |
公司存货 |
询价 | ||||
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 | |||
VISHAY |
24+ |
TO-220- |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 |
