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NS2029M3数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

NS2029M3

参数属性

NS2029M3 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 0.1A SOT723

功能描述

PNP Bipolar Small Signal Transistor
TRANS PNP 50V 0.1A SOT723

封装外壳

SOT-723

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 16:51:00

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NS2029M3规格书详情

描述 Description

The PNP Bipolar Small Signal Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium.

特性 Features

• Reduces Board Space
• High hFE, 210-460 (Typical)
• Low VCE(sat),
• ESD Performance:Human Body Model; > 2000 VMachine Model; > 200 V
• Available in 4 mm, 8000 Unit Tape & Reel
• This is a Pb-Free Device

应用 Application

• Smartphones
• Tablets
• Portable Consumer Products

简介

NS2029M3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的NS2029M3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NS2029M3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.5

  • IC Cont. (A)

    :0.1

  • VCEO Min (V)

    :50

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :120

  • hFE Max

    :560

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :0.265

  • Package Type

    :SOT-723-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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