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NRVBS260NT3G	文件：267.71 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a metalïtoïsilicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling diodes and p 文件：267.71 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBS260NT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AA，SMB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 2A 60V 1202 SMB2	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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