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NRVBM110LT3G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

NRVBM110LT3G
厂商型号

NRVBM110LT3G

参数属性

NRVBM110LT3G 封装/外壳为DO-216AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE

功能描述

Surface Mount Schottky Power Rectifier
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE

封装外壳

DO-216AA

文件大小

157.15 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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NRVBM110LT3G规格书详情

NRVBM110LT3G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由安森美半导体公司制造生产的NRVBM110LT3G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

Surface Mount Schottky Power Rectifier

POWERMITE® Power Surface Mount Package

The Schottky Powermite® employs the Schottky Barrier principle with a barrier metal and epitaxial construction that produces optimal forward voltage drop−reverse current tradeoff. The advanced packaging techniques provide for a highly efficient micro miniature, space saving surface mount Rectifier. With its unique heatsink design, the Powermite® has the same thermal performance as the SMA while being 50 smaller in footprint area, and delivering one of the lowest height profiles,

特性 Features

• Ultra Low VF

• 1st in Marketplace with a 10 VR Schottky Rectifier

• Low Profile − Maximum Height of 1.1 mm

• Small Footprint − Footprint Area of 8.45 mm2

• Low Thermal Resistance with Direct Thermal Path of Die on

Exposed Cathode Heat Sink

• ESD Protection: Human Body Model >4000 V (Class 3)

Machine Model >400 V (Class C)

• Pb−Free Packages are Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NRVBM110LT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    POWERMITE®

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-216AA

  • 供应商器件封装:

    Powermite

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 125°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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