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NRVBD660C数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF

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厂商型号

NRVBD660C

参数属性

NRVBD660C 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK

功能描述

Schottky Power Rectifier, Switch-mode, 6 A, 60 V
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:38:00

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NRVBD660C规格书详情

描述 Description

The Schottky Rectifier is designed for use in switching power supplies, inverters and as free wheeling diodes.

特性 Features

• Extremely Fast Switching
• Extremely Low Forward Drop
• Platinum Barrier with Avalanche GuardringsMechanical Characteristics:
• Case: Epoxy, Molded
• Weight: 0.4 gram (approximately)
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderable
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes: 260 °C Max. for 10 Seconds
• Marking: B620T, B630T, B640T, B650T, B660T
• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• NRVBD and SBR Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements

应用 Application

• Power Conversion Circuit
• Reverse Battery Protection
• Gate Driving Circuit
• Protection and Free-Wheeling

简介

NRVBD660C属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的NRVBD660C二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NRVBD660CTG-VF01

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    SWITCHMODE™

  • 包装:

    管件

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    3A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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