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NRVB30H100MFST3G

Switch-mode Power Rectifiers

These state−of−the−art devices have the following features: Features  Low Power Loss / High Efficiency  New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting  Guardring for Stress Protection  Low Forward Voltage Drop  175C Operating Junction Temperature  Wetta

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ONSEMI

安森美半导体

NRVB30H100MFST3G

Switch-mode Power Rectifiers

文件:91.05 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NRVB30H100MFST3G

Switch-mode Power Rectifiers

ONSEMI

安森美半导体

NRVB30H100MFST3G

Package:8-PowerTDFN,5 引线;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NRVB30H100MFST3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    30A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-PowerTDFN,5 引线

  • 供应商器件封装:

    5-DFN(5x6)(8-SOFL)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
三年内
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更多NRVB30H100MFST3G供应商 更新时间2025-12-15 15:08:00