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VBA3316G

DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •NotebookLogicdc-to-dc •LowCurrentdc-to-dc

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBA3316G

DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBA3316SA

DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SetTopBox •LowCurrentDC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    NR3316TM

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    RECEIVER PIN-PD RECEIVER WITH INTERNAL PRE-AMPLIFIER FOR 10 Gb/s APPLICATIONS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SMD被动器件正迈科技
99050
电容电阻被动器件电感磁珠系列样品可出支持批量
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