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NP90N055VDG-E2-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NP90N055VDG-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

337.27 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-31 8:41:00

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NP90N055VDG-E2-AY规格书详情

DESCRIPTION

The NP90N055VDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

• Logic level

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A)

RDS(on)2 = 10.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

• High current rating

ID(DC) = ±90 A

• Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP.

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

产品属性

  • 型号:

    NP90N055VDG-E2-AY

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
rene
21+
TO-252
10000
原装现货假一罚十
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Renesas Electronics America
2022+
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片
38550
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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TO2523
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RENESAS
23+
12500
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2023+
TO-220-3L
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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