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NP8P128A13BSM60E中文资料128-Mbit Parallel Phase Change Memory数据手册Micron规格书

厂商型号 |
NP8P128A13BSM60E |
参数属性 | NP8P128A13BSM60E 封装/外壳为56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC PCM 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
功能描述 | 128-Mbit Parallel Phase Change Memory |
封装外壳 | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
制造商 | Micron Micron Technology |
中文名称 | 美光 美光科技有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 18:11:00 |
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技术参数
- 产品编号:
NP8P128A13BSM60E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 系列:
Omneo™
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
PCM(PRAM)
- 技术:
PCM(PRAM)
- 存储容量:
128Mb(16M x 8)
- 存储器接口:
并联,SPI
- 写周期时间 - 字,页:
115ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
56-TSOP
- 描述:
IC PCM 128MBIT PARALLEL 56TSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NUMONYX |
11+ |
TSOP56 |
336 |
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询价 | ||
MICRON/美光 |
24+ |
NA |
20000 |
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询价 | ||
MIC |
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Micron |
22+ |
56TSOP (14x20) |
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Micron Technology Inc |
2023+ |
56-TSOP |
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MICRON/美光 |
22+ |
NA |
8000 |
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NUMONYX |
23+ |
TSOP56 |
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Micron |
17+ |
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Micron Technology Inc. |
21+ |
165-TBGA |
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询价 | ||
Micron Technology Inc. |
24+ |
56-TSOP(14x20) |
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询价 |