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NP8P128A13BSM60E中文资料128-Mbit Parallel Phase Change Memory数据手册Micron规格书

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厂商型号

NP8P128A13BSM60E

参数属性

NP8P128A13BSM60E 封装/外壳为56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC PCM 128MBIT PARALLEL 56TSOP

功能描述

128-Mbit Parallel Phase Change Memory

封装外壳

56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

制造商

Micron Micron Technology

中文名称

美光 美光科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 18:11:00

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技术参数

  • 产品编号:

    NP8P128A13BSM60E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Omneo™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    PCM(PRAM)

  • 技术:

    PCM(PRAM)

  • 存储容量:

    128Mb(16M x 8)

  • 存储器接口:

    并联,SPI

  • 写周期时间 - 字,页:

    115ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    56-TSOP

  • 描述:

    IC PCM 128MBIT PARALLEL 56TSOP

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