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NP89N055PUK-E1-AY	文件：280.38 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP89N055PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance RDS(on) = 4.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A)  Low Ciss: Ciss = 4000 pF TYP. (VDS = 25 V)  Designed for automotive application and 文件：280.38 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP89N055PUK-E1-AY	文件：112.13 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP89N055PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features ● Super low on-state resistance RDS(on) = 4.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) ● Low Ciss: Ciss = 4000 pF TYP. (VDS = 25 V) ● Designed for automotive application 文件：112.13 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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