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NP86N04EHE-E1-AY中文资料PDF规格书

NP86N04EHE-E1-AY
厂商型号

NP86N04EHE-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件大小

224.12 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-25 11:00:00

NP86N04EHE-E1-AY规格书详情

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

RDS(on) = 4.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 43 A)

• Low input capacitance

Ciss = 5900 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

产品属性

  • 型号:

    NP86N04EHE-E1-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
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TECCOR/LITT
23+
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NEC
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