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NP84N04EHE-E1-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NP84N04EHE-E1-AY
厂商型号

NP84N04EHE-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件大小

224.97 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 18:55:00

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NP84N04EHE-E1-AY规格书详情

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

RDS(on) = 5.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A)

• Low input capacitance

Ciss = 4410 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

产品属性

  • 型号:

    NP84N04EHE-E1-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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