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NP83P06PDG-E2-AYNote	文件：299.58 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET 文件：299.58 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP83P06PDG-E2-AY	文件：190.19 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP83P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 8.8 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −41.5 A) RDS(on)2 = 12 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −41.5 A) • High current rating: ID 文件：190.19 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP9926ASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	南麟 SOP-8	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	Amphenol Advanced Sensors 14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPA-500B-005G	文件：0 bytes Page：0 Pages	Amphenol Advanced Sensors 14-SMD 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

更多NP83P06PDG-E2-AYNOTE供应商更新时间2025-10-8 16:06:00