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NP80N04MLG-S18-AYNote	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04MLG-S18-AY	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MLG,NP80N04NLG,andNP80N04PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance -NP80N04MLG,NP80N04NLG RDS(on)1=4.8mΩMAX	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04MLG-S18-AY	文件：968.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •SynchronousRectification •PowerSupplies	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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NP80N04MLG-S18-AYNote

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP80N04MLG-S18-AY

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP80N04MLG,NP80N04NLG,andNP80N04PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Built-ingateprotectiondiode •Superlowon-stateresistance -NP80N04MLG,NP80N04NLG RDS(on)1=4.8mΩMAX

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP80N04MLG-S18-AY

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N-Channel40-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •SynchronousRectification •PowerSupplies

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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