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NP80N03NDE-S18-AY中文资料PDF规格书

NP80N03NDE-S18-AY
厂商型号

NP80N03NDE-S18-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件大小

219.37 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-17 17:43:00

NP80N03NDE-S18-AY规格书详情

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

• Channel Temperature 175 degree rated

• Super Low on-state Resistance

RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A)

RDS(on)3 = 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A)

• Low input capacitance

Ciss = 2600 pF TYP.

产品属性

  • 型号:

    NP80N03NDE-S18-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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TO-262
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