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NP75P03YDG-E2-AY	文件：233.61 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP75P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 6.2 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −37.5 A) • Low Ciss: Ciss = 3200 pF TYP. (VDS = −25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • 文件：233.61 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP9926ASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPA-500B-005G	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SMD 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPB02SVAN-RC	文件：0 bytes Page：0 Pages	BULK	SULLINS 上传：深圳市乐创天科技有限公司	SULLINS

更多NP75P03YDG-E2-AY供应商更新时间2026-2-10 9:04:00