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NP60N04PDK-E2-AY	文件：278.91 Kbytes Page：8 Pages	40 V – 60 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description TheNP60N04PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.95mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) Logicleveldrivetype Designedfor	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP60N04PDK-E2-AY

文件：278.91 Kbytes

Page：8 Pages

40 V – 60 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive

Description TheNP60N04PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.95mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) Logicleveldrivetype Designedfor

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多NP60N04PDK-E2-AY供应商更新时间2024-5-16 14:50:00

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