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NP50P03YDG规格书详情
描述 Description
The NP50P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特性 Features
• Low on-state resistance RDS(on) = 8.4 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A)
• Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. (VDS = −25 V, VGS = 0 V)
• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
• Small size package 8-pin HSON
技术参数
- 制造商编号
：NP50P03YDG
- 生产厂家
：Renesas
- Channels (#)
：1
- Pkg. Type
：HSON
- Standard Pkg. Type
：Power SON-8 5x6
- VDSS (Max) (V)
：-30
- ID (A)
：-50
- RDS (ON)(Max) @10V or 8V (mohm)
：8.4
- Pch (W)
：102
- VGSS
：20
- Vgs (off) (Max) (V)
：-2.5
- RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)
：6.7
- Ciss (Typical) (pF)
：2300
- QG (nC) typ (nC)
：64
- Mounting Type
：Surface Mount
- Series Name
：NP Series
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
DFN5*6 |
505348 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
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DFN56 |
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RENESAS/瑞萨 |
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QFN |
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Renesas Electronics America |
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Renesas |
24+ |
QFN |
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询价 | ||
Renesas |
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RENESAS/瑞萨 |
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Renesas |
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RENESAS |
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DFN56 |
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Renesas |
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QFN |
21 |
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询价 |
