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NP48N055MHE-S18-AY	文件：305.15 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) •Lowinputcapacitance Ciss=1600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP48N055MHE-S18-AY	文件：218.63 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) •Lowinputcapacitance Ciss=1600pFT	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) •Lowinputcapacitance Ciss=1600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) •Lowinputcapacitance Ciss=1600pFT

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

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