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|---|---|---|---|---|
NP32N055SDE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 24 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16 A) RDS(on)2 文件：296.5 Kbytes 页数：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
NP32N055SDE | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.16 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
NP32N055SDE | Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：TRANSISTOR | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
详细参数
- 型号：
NP32N055SDE
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
TO-252 |
8866 |
询价 | |||
RENE |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VB |
25+ |
TO-252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
RENE |
2022+ |
TO-252 |
12375 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-252 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
R |
25+ |
TO-252 |
53200 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
RENE |
24+ |
TO-252 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
NEC |
26+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
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