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NP23N06YDG-E2-AY	文件：226.04 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des 文件：226.04 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多NP23N06YDG-E2-AY供应商更新时间2026-2-9 19:57:00