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NNCD8.2D	文件：41.63 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 200 mW TYPE ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(200mWTYPE) ThisproductseriesisadiodedevelopedforE.S.D(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC1000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanenduranceofnolessthan30kV,thusmakingits	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD8.2DA	文件：227.15 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODE 2-PIN SUPER MINI MOLD ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE 2-PINSUPERMINIMOLD DESCRIPTION TheseproductsarethediodedevelopedforESD(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC61000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanendurance,thusmakingits	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NNCD8.2E	文件：40.02 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES200mWTYPE ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(200mWTYPE) ThisproductseriesisadiodedevelopedforE.S.D(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC1000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanenduranceofnolessthan30kV,thusmakingits	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD8.2F	文件：40.17 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODESDOUBLETYPE,ANODECOMMON3PINMINIMOLD ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(DOUBLETYPE,ANODECOMMON) 3PINMINIMOLD ThisproductseriesisadiodedevelopedforE.S.D(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC1000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanenduranceofno	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD8.2J	文件：113.87 Kbytes Page：5 Pages	ESDNOISECLIPPINGDIODE DESCRIPTION TheseproductsareadiodedevelopedforESD(ElectrostaticDischarge)absorption.BasedontheIEC-61000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanendurance,thusmakingitselfmostsuitableforexternalinterfacecircuitprotection.Theseproductsareca	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PASMA8.2C	文件：592.14 Kbytes Page：7 Pages	400Wsurgecapabilityat1ms	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
PASMA8.2CA	文件：592.14 Kbytes Page：7 Pages	400Wsurgecapabilityat1ms	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
PDZ8.2B	文件：117.54 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE4.7to36VoltsPOWER400mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •400mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/95/ECdirectives. •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree)	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PDZ8.2B	文件：63.16 Kbytes Page：8 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powergeneralpurposevoltageregulatordiodesinasmallplasticSMDSOD323package. FEATURES •Totalpowerdissipation: max.400mW •Smallplasticpackagesuitablefor surfacemounteddesign •Widevarietyofvoltageranges: nom.2.4to36V(E24range).	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDZ8.2B	文件：294.89 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
NNCD8.2D
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Diode,ESD,8.2V,200mW,30kV/90pF,SC-76

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NNCD8.2D供应商更新时间2025-5-24 15:30:00

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