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NNCD6.8RG	文件：46.02 Kbytes Page：6 Pages	LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODEQUARTOTYPE:COMMONANODE5-PINMINIMOLD LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5-PINMINIMOLD DESCRIPTION TheNNCD6.8RGisalowcapacitancetypediodedevelopedforESD(ElectrostaticDischarge)absorption.BasedontheIEC61000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),th	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD6.8RH	文件：48.94 Kbytes Page：6 Pages	LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5-PINSUPERSMALLMINIMOLD LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5-PINSUPERSMALLMINIMOLD DESCRIPTION TheNNCD6.8RHisalowcapacitancetypediodedevelopedforESD(ElectrostaticDischarge)absorption.BasedontheIEC61000-4-2testonelectromagneticinterferen	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD6.8RL	文件：37.63 Kbytes Page：5 Pages	5-PINSUPERSMALLMINIMOLD(FLATLEADTYPE)ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE(QUADTYPE:COMMONANODE) 5-PINSUPERSMALLMINIMOLD(FLATLEADTYPE)ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE(QUADTYPE:COMMONANODE) DESCRIPTION TheNNCD6.8RLisalowcapacitancetypediodedevelopedforESD(ElectrostaticDischarge)absorption.BasedontheIEC61000-4-2testonelectromagneticinterference(EM	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PASMA6.8C	文件：592.14 Kbytes Page：7 Pages	400Wsurgecapabilityat1ms	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
PASMA6.8CA	文件：592.14 Kbytes Page：7 Pages	400Wsurgecapabilityat1ms	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
PDZ6.8B	文件：63.16 Kbytes Page：8 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powergeneralpurposevoltageregulatordiodesinasmallplasticSMDSOD323package. FEATURES •Totalpowerdissipation: max.400mW •Smallplasticpackagesuitablefor surfacemounteddesign •Widevarietyofvoltageranges: nom.2.4to36V(E24range).	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDZ6.8B	文件：117.54 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE4.7to36VoltsPOWER400mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •400mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/95/ECdirectives. •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree)	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PDZ6.8B	文件：294.89 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PDZ6.8B	文件：192.25 Kbytes Page：9 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powergeneralpurposevoltageregulatordiodesinasmallplasticSMDSOD323package. FEATURES •Totalpowerdissipation: max.400mW •Smallplasticpackagesuitablefor surfacemounteddesign •Widevarietyofvoltageranges: nom.2.4to36V(E24range).	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDZ6.8B	文件：256.8 Kbytes Page：11 Pages	SingleZenerdiodes 1.Generaldescription Low-powergeneralpurposevoltageregulatordiodesinaverysmallSOD323(SC-76)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Totalpowerdissipation:Ptot≤400mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Widevarie	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
NNCD6.8F
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
6.805V
功能描述：
Diode Zener Dual Common Anode 6.805V 5% 200mW 3-Pin SC-59 T/R Cut Tape
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
ESD Diode,200mW,6.47 to 7.14V,MINI MOLD3
制造商：
Renesas
功能描述：
Diode Zener Dual Common Anode 6.805V 5% 200mW 3-Pin SC-59 T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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