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NNCD6.8PH	文件：39.84 Kbytes Page：6 Pages	LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODEQUARTOTYPE:COMMONANODE5-PINSUPERSMALLMINIMOLD LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5-PINSUPERSMALLMINIMOLD DESCRIPTION TheNNCD6.8PHisadiodedevelopedforESD(ElectrostaticDischarge)absorption.BasedontheIEC-61000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediode	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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NNCD6.8RG	文件：46.02 Kbytes Page：6 Pages	LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODEQUARTOTYPE:COMMONANODE5-PINMINIMOLD LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5-PINMINIMOLD DESCRIPTION TheNNCD6.8RGisalowcapacitancetypediodedevelopedforESD(ElectrostaticDischarge)absorption.BasedontheIEC61000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),th	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD6.8RH	文件：48.94 Kbytes Page：6 Pages	LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5-PINSUPERSMALLMINIMOLD LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5-PINSUPERSMALLMINIMOLD DESCRIPTION TheNNCD6.8RHisalowcapacitancetypediodedevelopedforESD(ElectrostaticDischarge)absorption.BasedontheIEC61000-4-2testonelectromagneticinterferen	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD6.8RL	文件：37.63 Kbytes Page：5 Pages	5-PINSUPERSMALLMINIMOLD(FLATLEADTYPE)ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE(QUADTYPE:COMMONANODE) 5-PINSUPERSMALLMINIMOLD(FLATLEADTYPE)ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE(QUADTYPE:COMMONANODE) DESCRIPTION TheNNCD6.8RLisalowcapacitancetypediodedevelopedforESD(ElectrostaticDischarge)absorption.BasedontheIEC61000-4-2testonelectromagneticinterference(EM	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PASMA6.8C	文件：592.14 Kbytes Page：7 Pages	400Wsurgecapabilityat1ms	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
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PDZ6.8B	文件：63.16 Kbytes Page：8 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powergeneralpurposevoltageregulatordiodesinasmallplasticSMDSOD323package. FEATURES •Totalpowerdissipation: max.400mW •Smallplasticpackagesuitablefor surfacemounteddesign •Widevarietyofvoltageranges: nom.2.4to36V(E24range).	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDZ6.8B	文件：117.54 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE4.7to36VoltsPOWER400mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •400mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/95/ECdirectives. •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree)	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PDZ6.8B	文件：294.89 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
NNCD6.8DA
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODE 2-PIN SUPER MINI MOLD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	NNCD6.8DA-T1	NEC	19+	SC-76(0805)	200000		询价
艾睿国际（香港）有限公司	NNCD6.8DA-T1-AT	RENESAS/瑞萨	2447	SC-76	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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