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NM27C512QE150	文件：105.98 Kbytes Page：10 Pages	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM GeneralDescription TheNM27C512isahighperformance512KUVErasableElectricallyProgrammableReadOnlyMemory(EPROM).ItismanufacturedusingFairchild’sproprietaryCMOSAMG™EPROMtechnologyforanexcellentcombinationofspeedandeconomywhileprovidingexcellentreliability. The	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
NM27C512QE150	文件：159.75 Kbytes Page：10 Pages	524,288-Bit (64K x 8) High Performance CMOS EPROM	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
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FM27C512QE150	文件：100.89 Kbytes Page：10 Pages	524,288-Bit(64Kx8)HighPerformanceCMOSEPROM GeneralDescription TheFM27C512isahighperformance512KUVErasableElectricallyProgrammableReadOnlyMemory(EPROM).ItismanufacturedusingFairchild’sproprietaryCMOSAMG™EPROMtechnologyforanexcellentcombinationofspeedandeconomywhileprovidingexcellentreliability. TheFM2	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FM27C512QE150	文件：97.52 Kbytes Page：10 Pages	524,288-Bit(64Kx8)HighPerformanceCMOSEPROM GeneralDescription TheFM27C512isahighperformance512KUVErasableElectricallyProgrammableReadOnlyMemory(EPROM).ItismanufacturedusingFairchild’sproprietaryCMOSAMG™EPROMtechnologyforanexcellentcombinationofspeedandeconomywhileprovidingexcellentreliability. TheFM2	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

产品属性

产品编号：
NM27C512QE150
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
EPROM
技术：
EPROM - UV
存储容量：
512Kb（64K x 8）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-CDIP（0.600"，15.24mm）窗口
供应商器件封装：
28-CDIP
描述：
IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28CDIP

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