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NM27C040Q150

4,194,304-Bit (512K x 8) High Performance CMOS EPROM

General Description The NM27C040 is a high performance, 4,194,304-bit Electrically Programmable UV Erasable Read Only Memory. It is organized as 512K words of 8 bits each. Its pin-compatibility with byte-wide JEDEC EPROMs enables upgrades through 8 Mbit EPROMs. The “Don’t Care” feature on VPP dur

文件:111.1 Kbytes 页数:11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

NM27C040Q120

Package:32-CDIP(0.685",17.40mm)窗口;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32CDIP

ONSEMI

安森美半导体

NM27C040Q150

Package:32-CDIP(0.685",17.40mm)窗口;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32CDIP

ONSEMI

安森美半导体

SMJ27C040

UV Erasable Programmable Read-Only Memory

GENERAL DESCRIPTION The SMJ27C040 is a set of 4,194,304-bit, ultraviolet-light erasable, electrically programmable read-only memories (EPROMs). FEATURES • Organized 524,288 x 8 • Single +5V ±10 power supply • Industry standard 32-pin dual-in-line package • All inputs/outputs fully TTL compat

文件:115.06 Kbytes 页数:11 Pages

AUSTIN

TMS27C040

PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY

文件:193.36 Kbytes 页数:12 Pages

TI

德州仪器

TMS27C040

READ-ONLY MEMORIES

文件:193.54 Kbytes 页数:15 Pages

TI

德州仪器

产品属性

  • 产品编号:

    NM27C040Q150

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    EPROM

  • 技术:

    EPROM - UV

  • 存储容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    32-CDIP(0.685",17.40mm)窗口

  • 供应商器件封装:

    32-CDIP

  • 描述:

    IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32CDIP

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更多NM27C040Q供应商 更新时间2026-3-13 23:00:00