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NLV14050BDR2G	文件：241.27 Kbytes Page：8 Pages	Hex Buffer TheMC14049BHexInverter/BufferandMC14050BNoninverting HexBufferareconstructedwithMOSP−ChannelandN−Channel enhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure.These complementaryMOSdevicesfindprimaryusewherelowpower dissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NLV14050BDR2G	文件：131.31 Kbytes Page：8 Pages	Hex Buffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NLV14050BDR2G	文件：156.13 Kbytes Page：9 Pages	Hex Buffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NLV14050BDR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）缓冲器，驱动器，接收器，收发器描述：IC BUFFER NON-INVERT 18V 16SOIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MC14050BDR2	文件：106.06 Kbytes Page：8 Pages	HexBuffer TheMC14049BHexInverter/BufferandMC14050BNoninvertingHexBufferareconstructedwithMOSP–ChannelandN–Channelenhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure.ThesecomplementaryMOSdevicesfindprimaryusewherelowpowerdissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired.Thes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MC14050BDR2G	文件：241.27 Kbytes Page：8 Pages	HexBuffer TheMC14049BHexInverter/BufferandMC14050BNoninverting HexBufferareconstructedwithMOSP−ChannelandN−Channel enhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure.These complementaryMOSdevicesfindprimaryusewherelowpower dissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MC14050BDR2G	文件：131.31 Kbytes Page：8 Pages	HexBuffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MC14050BDR2G	文件：148.25 Kbytes Page：9 Pages	HexBuffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NLV14050BDR2G
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
系列：
Automotive, AEC-Q100, 4000B
包装：
散装
逻辑类型：
缓冲器，非反向
每个元件位数：
1
输出类型：
推挽式
电流 - 输出高、低：
10mA，40mA
电压 - 供电：
3V ~ 18V
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC BUFFER NON-INVERT 18V 16SOIC

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