NLV14012B数据手册集成电路（IC）的门反相器规格书PDF

描述 Description

此类双路 4 输入 NAND 门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 MOS）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。

特性 Features

• Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc
• All Outputs Buffered
• Capable of Driving Two Low-power TTL Loads or One Low-power Schottky TTL Load Over the Rated Temperature Range.
• Double Diode Protection on All Inputs
• Pin-for-Pin Replacements for Corresponding CD4000 Series B Suffix Devices
• Pb-Free Packages are Available*

简介

NLV14012B属于集成电路（IC）的门反相器。由制造生产的NLV14012B门和反相器逻辑栅极和逆变器系列中的产品对单个逻辑信号执行基本逻辑运算（例如 AND、NOT、OR 等）。与触发器不同，它们不能够存储信息，不会对提供给其输入的信号立即做出响应。虽然早就被集成电路实施形式所取代，以用于实现复杂功能，但分立栅极仍可在仅需要非常简单逻辑功能的情况下使用。