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NJVNJD35N04T4G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 ON/安森美
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NJVNJD35N04T4G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 20mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
2000 @ 2A,2V
- 频率 - 跃迁:
90MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
供应商
- 企业:
深圳市华来深电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
朱先生
- 手机:
13751106682
- 询价:
- 电话:
0755-83238902/13662247350
- 传真:
0755-83972189
- 地址:
深圳市福田区上步工业区205栋5A36室/门市部:深圳市福田区华强北路国利大厦新亚洲二期N2B227
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- NJVMJD44H11T4G
- NJW0302G
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- NJW0302G(ROHS)
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