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NJVMJD44H11T4G	文件：310.51 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Power Transistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD44H11T4G	文件：132.18 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Power Transistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD44H11T4G	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD44H11T4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 8A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD44H11T4G-VF01	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 8A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11T4	文件：412.51 Kbytes Page：11 Pages	LowvoltageNPNpowertransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJB44H11T4	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11T4	文件：75.98 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors D2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features •LowCollector−EmitterSatu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11T4-A	文件：412.27 Kbytes Page：11 Pages	Automotive-gradelowvoltageNPNpowertransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJB44H11T4G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistorsD2PAKforSurfaceMount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NJVMJD44H11T4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
85MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 80V 8A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	NJVMJD44H11T4G	onsemi	24+	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	NJVMJD44H11T4G	ON/安森美	2021+	TO-252	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
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深圳市达恩科技有限公司	NJVMJD44H11T4G	ONSemiconductor	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价

更多NJVMJD44H11T4G供应商更新时间2025-5-28 19:08:00

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