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NJVMJD44E3T4G	文件：129.12 Kbytes Page：3 Pages	Darlington Power Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD44E3T4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44E3T4	文件：80.96 Kbytes Page：4 Pages	NPNDARLINGTONSILICONPOWERTRANSISTOR10AMPERES80VOLTS20WATTS DarlingtonPowerTransistor DPAKForSurfaceMountApplication ...forgeneralpurposepowerandswitchingoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves(NoSuf	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MJD44E3T4	文件：50.87 Kbytes Page：3 Pages	DarlingtonPowerTransistorDPAKForSurfaceMountApplications10AMPERES80VOLTS,20WATTS DarlingtonPowerTransistor DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •ElectricallySimilartoPopularD44E3Device •HighDCGain−100	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NJVMJD44E3T4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 20mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK

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中天科工半导体（深圳）有限公司	NJVMJD44E3T4G	onsemi	23+	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多NJVMJD44E3T4G供应商更新时间2024-4-28 15:09:00

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