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NJVMJD32T4G	文件：129.229 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Power Transistors Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix) • Lead Formed Versi 文件：129.229 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NJVMJD32T4G	文件：100.84 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors 文件：100.84 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NJVMJD32T4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 3A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CCS-32T4C-D	文件：588.92 Kbytes Page：9 Pages	Failsafe SPDT Coaxial Switch 文件：588.92 Kbytes 页数：9 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE
CCS-32T4C-M	文件：588.92 Kbytes Page：9 Pages	Failsafe SPDT Coaxial Switch 文件：588.92 Kbytes 页数：9 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE
CCS-32T4C-S	文件：588.92 Kbytes Page：9 Pages	Failsafe SPDT Coaxial Switch 文件：588.92 Kbytes 页数：9 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE

产品属性

产品编号：
NJVMJD32T4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 40V 3A DPAK

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更多NJVMJD32T4G供应商更新时间2025-12-11 9:32:00

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