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NJVMJD32CT4G	文件：129.229 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Power Transistors ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“1”Suffix) •LeadFormedVersi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD32CT4G	文件：100.84 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD32CT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 3A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD32CT4G-VF01	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 3A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD32CT4	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD32CT4	文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD32CT4	文件：173.62 Kbytes Page：9 Pages	LowvoltagePNPpowertransistor DESCRIPTION TheMJD31BandMJD31CandtheMJD32BandMJD32CformcomplementaryNPN-PNPpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK)POWERPACKAGEINTAPE&REEL(SUFFIX	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD32CT4-A	文件：214.35 Kbytes Page：9 Pages	LowvoltagePNPpowertransistor Description Thedeviceismanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Thisdeviceisqualifiedforautomotiveapplication ■Surface-mountingTO-252powerpacka	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD32CT4G	文件：100.84 Kbytes Page：10 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD32CT4G	文件：129.229 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“1”Suffix) •LeadFormedVersi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NJVMJD32CT4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 100V 3A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NJVMJD32CT4G	onsemi(安森美)	24+	TO-252	2669	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多NJVMJD32CT4G供应商更新时间2025-5-22 23:01:00

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