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NJVMJD128T4G	文件：92.84 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor ComplementaryDarlingtonPowerTransistor DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •MonolithicConstructionWithBuilt−inBase−EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •E	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NJVMJD128T4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NJVMJD128T4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK

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