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NJVMJD127T4G	文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Darlington Power Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NJVMJD127T4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJD127T4	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES100VOLTS20WATT Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) •LeadFormedVersionAvailablein16mmTapeandReel(“T4”Suffix) •Sur	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MJD127T4	文件：91.56 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MJD127T4	文件：91.56 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MJD127T4	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJD127T4	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJD127T4G	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJD127T4G	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJD127T4G	文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

产品编号：
NJVMJD127T4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	NJVMJD127T4G	onsemi	23+	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NJVMJD127T4G	onsemi(安森美)	23+	DPAK-3	2669	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市天成基业科技有限公司	NJVMJD127T4G	ONSEMI		TO-252	1020000	有挂就有正品原装	询价
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深圳市纳立科技有限公司	NJVMJD127T4G		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
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更多NJVMJD127T4供应商更新时间2024-4-28 15:09:00

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