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NJVMJD127T4G	文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：106.5 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NJVMJD127T4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD127T4	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：87.53 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD127T4	文件：91.56 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T 文件：91.56 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJD127T4	文件：91.56 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T 文件：91.56 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
NJVMJD127T4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NJVMJD127T4供应商更新时间2025-12-17 23:01:00

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