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NJM8512BE

Precision, JFET Input Operational Amplifier

■ FEATURES ●Low Input Offset Voltage VIO=400μV max. VIO=700μV max. (Ta= -40°C to +125°C) ●Low Input Offset Voltage Drift ΔVIO/ΔT=5μV/°C max. (Ta= -40°C to +125°C) ●Low Supply Current Icc=1.3mA /ch typ. ●High Slew Rate SR=20V/μs typ. ●Wide Bandwidth ft=7MHz typ. ●Low Noise en=10nV/Hz typ.

文件:1.74126 Mbytes 页数:14 Pages

NISSHINBO

日清纺微电子

NJM8512BR

Precision, JFET Input Operational Amplifier

文件:1.75045 Mbytes 页数:14 Pages

NJRC

日本无线

OPA8512

Infrared LED Chip

文件:98.9 Kbytes 页数:1 Pages

KODENSHI

可天士

OPA8512CND

Infrared LED Chip

文件:98.89 Kbytes 页数:1 Pages

KODENSHI

可天士

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