NJD2873数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power, high gain amplifier applications.

特性 Features

• High DC Current Gain - hfe = 120(min)@Ic = 500 mA
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

应用 Application

• Ideal for high gain amplifier applications.

简介

NJD2873属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的NJD2873晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。