NIS5112中文资料12 V 电子熔丝,eFuse数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
NIS5112 |
参数属性 | NIS5112 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的电流调节/管理;产品描述:IC ELECTRONIC FUSE HOTSWAP 8SOIC |
功能描述 | 电子保险丝 |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 11:31:00 |
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NIS5112规格书详情
描述 Description
The NIS5112 is an integrated switch utilizing a high side N-channel FET driven by an internal charge pump.This switch features a MOSFET which allows for current sensing using inexpensive chip resistors intead of expensive, low impedance current shunts.It is designed to operate in 12 V systems and includes a robust thermal protection circuit.
特性 Features
• Integrated Power Device
• Power Device Thermally Protected
• No External Current Shunt Required
• Enable/Timer Pin
• Adjustable Slew Rate for Output Voltage
• 9 V to 18 V Input Range
• 30 mΩ Typical
• Internal Charge Pump
应用 Application
• Hard Drives
简介
NIS5112属于集成电路(IC)的电流调节/管理。由制造生产的NIS5112电流调节/管理电流调节和管理 IC 是用于监视和调节电路电流的半导体器件。功能包括电流表、限流、电流镜、电流监控器、电流调节器、电流纹波抑制器、电流检测、电流源、电流开关和电子保险丝,电流输出从 100 μA 至 50 A 可调。
技术参数
更多- 制造商编号
:NIS5112
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Type
:Auto-Retry
- VI Max (V)
:18
- rDS(on) Max (mΩ)
:35
- TSD Typ (°C)
:135
- Thyst Typ (°C)
:40
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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ON/安森美 |
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ON |
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SOP-8 |
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