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PMEG6030ETP-Q	文件：260.75 Kbytes Page：13 Pages	High-temperature60V,3ASchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A •Reversevoltage:VR≤6	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG6030EVP	文件：260.209 Kbytes Page：13 Pages	60V,3ASchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A •Reversevoltage:VR≤6	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG6030EVP-Q	文件：259.61 Kbytes Page：13 Pages	60V,3ASchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A •Reversevoltage:VR≤6	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
R6030ENX	文件：2.41181 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V30APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6030ENX	文件：296.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6030ENZ	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6030ENZ	文件：945.85 Kbytes Page：13 Pages	Nch600V30APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6030JNZ	文件：2.65743 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V30APowerMOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6030KNX	文件：296.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6030KNX	文件：2.2318 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V30APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
NIPXI-6030E
制造商：
NI
制造商全称：
National Instruments Corporation
功能描述：
Full-Featured E Series Multifunction DAQ 12 or 16-Bit, up to 1.25 MS/s, up to 64 Analog Inputs

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	NIR2101PT1G	ON/安森美	2022+	SOT-23	699	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市创新迹电子有限公司	NIR2101PT1G	ON/安森美	2022+	SOT-23	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	NIR2101PT1G	ON/安森美	20+	SOT-23	57600	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NIRF51822-CEAA-R	NORDIC	23+		28000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
艾睿国际（香港）有限公司	NIRS21N1-DSPR	NOVOSENSE(纳芯微)	2447	SOIC-8	315000	2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司	NIRS21N1-DSPR	NOVOSENSE(纳芯微)	2021+	SOIC-8	2361		询价
深圳市力拓辉电子有限公司	NIRS21N1-DSPR	纳芯微电子	21+	SOIC8	100	全新原装鄙视假货	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	NIRS21N1-DSPR	纳芯微	23+	SO1C8	32280	正规渠道,只有原装!	询价
深圳市华康联电子科技有限公司	NIRS21N1-DSPR	纳芯微	23+	SO1C8	20000		询价
深圳市星宇佳科技有限公司	NIRS21N1-DSPR	NOVOSENSE(纳芯微)	20+	SOIC-8	2500		询价

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