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NIMD6001AN

Dual N-Channel Driver

文件:203.74 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NIMD6001ANR2G

Dual N-Channel Driver

文件:203.74 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NIMD6001A

Dual N-Channel MOSFET Driver with Diagnostic Output

NIMD6001N is a dual 3 Amp low side switch with an integrated common disable input and drain diagnostic output.Pulling the Disable pin low will override any applied gate voltages and turn off both FET switches.Should either Drain-Source voltage exceed approximately 50V, a logic 1will be asserted on t • 110m Maximum RDSON at VGS=10V\n• Avalanche Energy Specified\n• Gate Drive Disable Input\n• Drain-Source Voltage Diagnostic Feedback Output \n• Electrically Isolated Drains\n• Internal Resistors Limit Peak Transient Gate Current\n• AEC-Q101 Qualified;

ONSEMI

安森美半导体

NIMD6001ANR2G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NIMD6001ANR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器

  • 包装:

    剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 开关类型:

    继电器,螺线管驱动器

  • 输出数:

    2

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 输出配置:

    低端

  • 输出类型:

    N 通道

  • 接口:

    开/关

  • 电压 - 负载:

    60V(最大)

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 电流 - 输出(最大值):

    3.3A

  • 导通电阻(典型值):

    60 毫欧

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHAN 1

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更多NIMD6001A供应商 更新时间2025-12-20 8:01:00