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NTE123	文件：26.64 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNTransistorGeneralPurposeAudioAmplifier,Switch SiliconNPNTransistorGeneralPurposeAudioAmplifier,Switch	NTE NTE Electronics	NTE
NTE123A	文件：33.1 Kbytes Page：4 Pages	SiliconComplementaryTransistorsGeneralPurpose Description: TheNTE123A(NPN)andNTE159M(PNP)arewidelyused“IndustryStandard”complementarytransistorsinaTO18typecasedesignedforapplicationssuchasmedium–speedswitchingandamplifiersfromaudiotoVHFfrequencies. Features: ●LowCollectorSaturationVoltage:1V(Max) ●Hig	NTE NTE Electronics	NTE
NTE123AP	文件：24.2 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNTransistorAudioAmplifier,Switch(CompltoNTE159) SiliconNPNTransistorAudioAmplifier,Switch(CompltoNTE159)	NTE NTE Electronics	NTE
NTQ123	文件：252.91 Kbytes Page：2 Pages	70-120Watts	Astec Astec America, Inc	Astec
NTQ123-DC	文件：506.57 Kbytes Page：2 Pages	70-125Watts	Astec Astec America, Inc	Astec
NTQ123-DC	文件：141.91 Kbytes Page：3 Pages	-48VDCinput	EMERSON-NETWORKPOWEREmerson Network Energy Co., Ltd 艾默生艾默生网络能源有限公司	EMERSON-NETWORKPOWER
NUC123	文件：1.90404 Mbytes Page：99 Pages	ARM짰Cortex짰-M032-bitMicrocontroller	NuvotonNuvoton Technology Corporation 新唐科技新唐科技股份有限公司	Nuvoton
OD123JE	文件：305.18 Kbytes Page：2 Pages	OD/OF/OASeries Features •Moldedinsulationforhighdielectricstrength •Ruggedconstruction •Highsurgecapabilities •Comparableto“Mil”RC07,RC20,andRC32types •OD/OFSeriesavailableinE24values •OASeriesavailableinE12values	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
OP123	文件：255.5 Kbytes Page：2 Pages	GAASHERMETICINFRAREDEMITTINGDIODES Description EachOP123andOP124seriesarehighintensitygalliumarsenideinfraredemiƫngdiodesmountedinminiaturePilltypehermeticallysealedpackages.ThispackagestyleisintendedfordirectmountingtoPCboards. Features •Hermeticallysealedpackage •Enhancedtemperaturerange	Optek OPTEK Technologies	Optek
OP123	文件：396.4 Kbytes Page：4 Pages	HermeticInfraredEmittingDiode	Optek OPTEK Technologies	Optek

产品属性

产品编号：
NHDTC123JTVL
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
NHDTC123JT/SOT23/TO-236AB

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