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NGW50T65H3DFP	文件：367.68 Kbytes Page：16 Pages	650 V, 50 A high speed trench field-stop IGBT with full rated silicon diode Generaldescription TheNGW50T65H3DFPisarobustInsulated-GateBipolarTransistor(IGBT)featuringthirdgenerationtechnology.Itcombinescarrierstoredtrench-gateandfield-stop(FS)structures.The NGW50T65H3DFPisratedto175°CwithoptimizedIGBTturn-offlosses.Thishard-switching65	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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文件：367.68 Kbytes

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650 V, 50 A high speed trench field-stop IGBT with full rated silicon diode

Generaldescription TheNGW50T65H3DFPisarobustInsulated-GateBipolarTransistor(IGBT)featuringthirdgenerationtechnology.Itcombinescarrierstoredtrench-gateandfield-stop(FS)structures.The NGW50T65H3DFPisratedto175°CwithoptimizedIGBTturn-offlosses.Thishard-switching65

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