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NGTD13T120F2WP分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NGTD13T120F2WP |
参数属性 | NGTD13T120F2WP 封装/外壳为模具;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH FIELD STOP |
功能描述 | IGBT Die |
封装外壳 | 模具 |
文件大小 |
92.79 Kbytes |
页面数量 |
3 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-3 16:46:00 |
人工找货 | NGTD13T120F2WP价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
NGTD13T120F2WP规格书详情
NGTD13T120F2WP属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体公司制造生产的NGTD13T120F2WP晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
NGTD13T120F2WP
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,15A
- 输入类型:
标准
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
模具
- 供应商器件封装:
触片
- 描述:
IGBT TRENCH FIELD STOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SMD |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
WAFER |
27985 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
Die |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
模具 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
Die |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
模具 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
52000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON Semiconductor |
23+ |
Die |
9000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ON |
1809+ |
模具 |
1675 |
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