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NGTB45N60SWG	文件：142.65 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB45N60SWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 45A TO-247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAM45N60D	文件：436.11 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
RM45N60DF	文件：621.92 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=45A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

产品属性

产品编号：
NGTB45N60SWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，45A
开关能量：
550µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
70ns/144ns
测试条件：
400V，45A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 45A TO-247

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